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Adv. Mater. | 垂直石墨烯納米片促進紫外LED器件散熱

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氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)和氮化銦(InN)等Ⅲ-Ⅴ族半導體材料,因為其寬帶隙的能帶結構、高的擊穿電壓和高的電子飽和遷移率,而被廣泛應用于光電器件,例如LED(Light Emitting Diode)。在LED照明器件使用過程中,發熱問題不可避免,熱量的產生會帶來一系列問題,包括器件能耗增加、效率降低、使用壽命縮短等。尤其對大功率LED器件,高的工作電流使得散熱問題尤為突出。為LED提供更好的界面熱分布均勻性,保障發揮散熱材料的最大效果,是未來LED照明設計的重要選擇。

最近,北京大學納米化學研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團隊中國科學院半導體研究所照明研發中心合作,提出了基于垂直石墨烯納米片的特殊結構,用于促進紫外LED器件散熱的新策略。通過理論和實驗結果表明,垂直取向石墨烯納米片能夠有效促進AlN薄膜的散熱,進一步提高制備的LED器件的性能。該成果以Enhancement of Heat Dissipation in Ultraviolet Light-Emitting Diodes by a Vertically Oriented Graphene Nanowall Buffer Layer為題發表在Advanced Materials?上(Adv. Mater.,DOI: 10.1002/adma.201901624)。

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圖1. 垂直石墨烯納米片促進AlN薄膜散熱

 

作者簡介

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劉忠范,北京大學博雅講席教授,博士生導師,中國科學院院士,第三世界科學院院士,英國物理學會會士,英國皇家化學學會會士,首批國家自然科學基金委員會杰出青年科學基金獲得者,首批中組部“萬人計劃”杰出人才,北京大學納米科學與技術研究中心主任,北京石墨烯研究院院長,中關村石墨烯產業聯盟理事長。

主要從事低維材料與納米器件、分子自組裝以及電化學研究。發展了納米碳材料的化學氣相沉積生長方法學,實現了納米碳材料的精細結構控制,解決了制備碳基器件的部分技術難題。在碳納米管和石墨烯的化學氣相沉積生長方法以及碳納米管數字集成電路研究領域處于國際前沿水平。發表SCI學術論文600余篇,包括Nature、Nature Mater.、Nature Commun.等,獲國家發明專利100余項。兩次獲得國家自然科學獎二等獎,除此之外還獲得高等學校科學技術獎自然科學一等獎和中國化學會-阿克蘇諾貝爾化學獎,日本化學會膠體與界面化學年會Lectureship Award,ACS Nano Lectureship Award等獎勵。

期刊介紹

Advanced Materials?

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本文來自Wiley中國科學網博客,本文觀點不代表利特納米,轉載請聯系原作者。

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